IGBT：? 是一種大功率的電力電子器件，是一個(gè)非通即斷的開關(guān)，IGBT沒有放大電壓的功能，導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線，斷開時(shí)當(dāng)做開路。三大特點(diǎn)就是高壓、大電流、高速。它是電力電子領(lǐng)域非常理想的開關(guān)器件。

IGBT：? 是一種大功率的電力電子器件，是一個(gè)非通即斷的開關(guān)，IGBT沒有放大電壓的功能，導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線，斷開時(shí)當(dāng)做開路。三大特點(diǎn)就是高壓、大電流、高速。它是電力電子領(lǐng)域非常理想的開關(guān)器件。

場效應(yīng)管和IGBT有什么不同？
IGBT更強(qiáng)大。因?yàn)閳鲂?yīng)管主要是靠導(dǎo)電層的夾斷來控制導(dǎo)通和關(guān)段的，容易擊穿和靜電危機(jī)。。但是IGBT是絕緣柵雙極晶體管一般場效應(yīng)管的優(yōu)點(diǎn)它都有
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。
GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。
專業(yè)名字為絕緣柵雙極型功率管 。通俗點(diǎn)說GBT管是有MOS管（場效應(yīng)管）和雙極型達(dá)林頓管結(jié)合而成。將場效應(yīng)管做為推動(dòng)管，大功率達(dá)林頓管作為輸出管。這樣兩者優(yōu)點(diǎn)有機(jī)的結(jié)合成現(xiàn)在的IGBT管，功率可以做的很大。

場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)。

IGBT更強(qiáng)大。因?yàn)閳鲂?yīng)管主要是靠導(dǎo)電層的夾斷來控制導(dǎo)通和關(guān)段的，容易擊穿和靜電危機(jī)。。但是IGBT是絕緣柵雙極晶體管一般場效應(yīng)管的優(yōu)點(diǎn)它都有